ظرفیت سیلیکونی
-
SSLC471M2B79A
محدوده • مشخصات برای خازن تک لایه اعمال می شود.• نوع: ساختار SSLC471M2B79A • قسمت بالایی الکترود (آند): AL =3um ±3000A پشت (کاتد): Ti /Au =5000A~6000A • ثابت دی الکتریک (SiNx): 7.5±2.5mm * 0.02 ± 0.820 میلی متر • اندازه تراشه (پس از قطعه قطعه کردن): 0.03 ± 0.790 میلی متر * 0.03 ± 0.790 میلی متر • ضخامت: 0.015 ± 0.210 میلی متر • طراحی الگو: در هر شکل 1 ویژگی الکتریکی -
SSLC122M2A79A
محدوده • مشخصات برای خازن تک لایه اعمال می شود.• نوع: ساختار SSLC122M2A79A • قسمت بالایی الکترود (آند): AL =3um ±3000A پشتی (کاتد): Ti /Au =5000A ~ 6000A • ثابت دی الکتریک (SiNx): 7.5±2.5 mm (اندازه 0.0. * 0.02 ± 0.820 میلی متر • اندازه تراشه (پس از قطعه قطعه کردن): 0.03 ± 0.790 میلی متر * 0.03 ± 0.790 میلی متر • ضخامت: 0.015 ± 0.210 میلی متر • طراحی الگو: در هر شکل 1 ویژگی الکتریکی -
SSLC103M1A79A
محدوده • مشخصات برای خازن تک لایه اعمال می شود.• نوع: ساختار SSLC103M1A79A • قسمت بالایی الکترود (آند): AL =3um ±3000A پشت (کاتد): Ti /Au =5000A ~ 6000A • ثابت دی الکتریک (SiNx): 7.5±2.5 mm * 0.02 ± 0.820 میلی متر • اندازه تراشه (پس از قطعه قطعه کردن): 0.03 ± 0.790 میلی متر * 0.03 ± 0.790 میلی متر • ضخامت: 0.015 ± 0.210 میلی متر • طراحی الگو: در هر شکل 1 ویژگی الکتریکی -
SSLC102M1C80A
محدوده • مشخصات برای خازن تک لایه اعمال می شود.• نوع : ساختار SSLC102M1C80A • قسمت بالایی الکترود (آند): AL =3um ±3000A پشت (کاتد): Ti /Au =5000A ~ 6000A • ثابت دی الکتریک (SiNx) : 7.5±2.5mm (اندازه 0.0. * 0.02 ± 0.830 میلی‌متر • اندازه تراشه (پس از قطعه قطعه کردن): 0.03 ± 0.800 میلی‌متر * 0.03 ± 0.800 میلی‌متر • ضخامت: 0.015 ± 0.210 میلی‌متر • طراحی الگو: در هر شکل 1 ویژگی الکتریکی
